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De la mémoire 1 000 fois plus rapide, dès 2016

De la mémoire 1 000 fois plus rapide, dès 2016

Vers la fin de la mémoire flash ? C’est ce que promettent Intel et Micron qui viennent de mettre au point une mémoire non-volatile 1000 fois plus rapide, pour un lancement dès 2016.

La nouvelle mémoire 3D Xpoint que les ingénieurs d’Intel et Micron viennent de dévoiler pourrait bien révolutionner le stockage des appareils électroniques. Selon eux, il s’agit ni plus ni moins que de la plus importante innovation du secteur de ces 25 dernières années. La promesse est alléchante : une mémoire non-volatile 1000 fois plus rapide que les technologies Flash utilisées actuellement dans l’électronique grand-public. Avec une structure d’architecture en 3 dimensions, les transistors traditionnels sont éliminés et chaque cellule de mémoire peut se gérer une à une. Les processus de lecture et même d’écriture peuvent ainsi être exécutés beaucoup plus rapidement. La technologie 3D XPoint permet aussi de stocker plus de données.

Après 10 ans de recherche et de mise au point dans les laboratoires des équipes de Micron et Intel, la mémoire 3D Xpoint pourrait être lancée sur le marché dès 2016, auprès de publics ciblés dans un premier temps. En effet, avant le grand-public, des secteurs professionnels comme ceux des jeux vidéo, de la santé ou de la finance pourraient être prêts à payer le prix de cette innovation révolutionnaire.

Photo: © Intel

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A propos de l'auteur

Sébastien T.

Passionné depuis toujours par l'informatique et les jeux vidéos, je transforme ma passion en expertise. J'utilise quotidiennement les outils et systèmes Microsoft. Je ne délaisse pas mon côté ouvert, notamment via l'utilisation des OS Debian.

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