Selon une information relayée par Digital Times, Samsung devrait débuter dès le second trimestre 2016 la production de ses puces mémoire DRAM gravées en 18nm. Par opposition, son principal concurrent SK Hynix ne devrait franchir cette étape qu’à la fin de l’année 2016, ce qui laisse une petite avance à Samsung. Toutefois, cela ne revêt pas de caractère de gravité pour SK Hynix dans la mesure où il semble acquis que les appareils qui en profiteront s’étalonneront le long de l’année et plus tard encore. En effet, les plans de Samsung sont de passer à 15nm puis 10nm au plus tard en 2020. Vu la durée du développement, ce petit avantage de quelques mois n’en sera pas spécialement un au final quand nous ferons les comptes en décembre 2016.
A côté de cela, Micron dans un autre registre cherche avant tout à produire en masse sa 1X-nano DRAM 20nm cette année. Même en matière de DRAM, on peut voir que les procédés sont longs à être mis au point, et se heurtent à des retards et des contraintes techniques. Au final, il aura fallu presque deux ans à Samsung pour passer de sa 20nm actuelle initiée en mars 2014 à la 18nm qui le sera durant Q2 2016. (Source Digitimes)
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